[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010166766.2 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111697056A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | A·马哈茂德;R·魏斯;A·维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L29/861;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，其包括具有第一掺杂类型的多个第一半导体层(110)和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层(120)的层堆叠体。半导体器件还包括：邻接多个第一半导体层(110)的第一半导体器件(M1)的第一半导体区(15)；第一半导体器件(M1)的至少一个第二半导体区(14)，其中至少一个第二半导体区(14)中的每个邻接多个第二半导体层(120)中的至少一个，并且与第一半导体区(15)间隔开；以及第三半导体层(130)，其邻接层堆叠体(110，120)以及第一半导体区(15)和至少一个第二半导体区(14)中的每个，其中第三半导体层(130)包括在第一方向(x)上布置在第一半导体区(15)和至少一个第二半导体区(14)之间的第一区域(131)。半导体器件还包括从第三半导体层(130)的第一表面(101)延伸到第一区域(131)中的第一或第二掺杂类型的第三半导体区(140，142)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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