[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010172216.1 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370411B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 闾锦;雷涛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括衬底，且衬底为N型掺杂半导体结构；位于衬底上的绝缘层；及位于绝缘层上的堆叠层，堆叠层内设有贯穿堆叠层与绝缘层的沟道孔，沟道孔内形成存储结构，存储结构沿沟道孔轴向设置，且与衬底电性连接；其中，堆叠层包括多层交替堆叠设置的栅极层及介质层，绝缘层的厚度大于一层栅极层与一层介质层的厚度之和。本申请提供的三维存储器在衬底与堆叠层之间设一层绝缘层，避免了衬底内的电子在热作用下扩散至堆叠层最底部的栅极层，从而保证三维存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010172216.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
