[发明专利]一种高耐压的n沟道LDMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010179995.8 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113410299B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 罗谦;文厚东;姜玄青;范镇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压的n沟道LDMOS器件，属于半导体技术领域。本发明针对n沟道LDMOS器件提出了一种表面超结结构，通过在器件漂移区表面制备梳指状的p型半导体条块，并将该p型半导体条块与源极进行电学连接，可在关断条件下实现漂移区沟道大范围耗尽，该耗尽区可耐受较高电压，从而器件击穿特性得以增强。另一方面，与传统超结相比，梳指状p型表面耐压结构制备在漂移区表面，不用嵌入在器件漂移区内部，对工艺的要求降低。同时，由于和源极连接的梳指状p型表面耐压结构仅覆盖小部分漂移区面积，当器件导通时，与其关联的寄生电阻和寄生电容也相对较小，这使得器件具有相对较好的直流导通特性和高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 沟道 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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