[发明专利]降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法在审
| 申请号： | 202010181829.1 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111312860A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 廖光明 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种降低N‑Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，所述方法原有N‑topcon工艺基础上，在N‑Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N‑Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 topcon 太阳能电池 边缘 复合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
