[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010182596.7 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111326526B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张磊;汤召辉;周玉婷;曾凡清 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成第一叠层结构，包括交替堆叠的层间绝缘层与牺牲层，衬底的表面包括相邻的台阶区与核心区；在第一叠层结构的表面上形成第一标记；以第一标记作为对准标记进行刻蚀，使得在所述第一叠层结构的侧面形成若干层第一台阶；以及以第一标记作为对准标记进行刻蚀以形成多个第一沟道孔，多个第一沟道孔穿过第一叠层结构。该制造方法通过在第一叠层结构的表面上形成第一标记，在形成台阶与沟道孔时，均以第一标记作为直接的对准标记进行刻蚀，从而避免了现有技术中存在的间接对准误差。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010182596.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
