[发明专利]一种利用氮化硅隔离层生成多阶梯状沟槽晶体管的工艺有效
| 申请号： | 202010182607.1 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111477546B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开一种利用氮化硅隔离层生成多阶梯状沟槽晶体管的工艺，包括以下步骤：S1、在硅片基板上蚀刻出第一沟槽；S2、将初加工晶体管置于氧化炉管中进行氧化操作，并在第一沟槽的内侧壁生成氧化硅保护层；S3、以化学气相沉积工艺，在第一沟槽的氧化硅保护层上沉积形成氮化硅薄膜层；S4、以含氟气体进行电浆化处理，形成侧壁；S5、随后在第一沟槽的底部向下继续蚀刻硅片基板的Si层，形成第二沟槽；S6、以O |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 氮化 隔离 生成 阶梯 沟槽 晶体管 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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