[发明专利]一种C-SiC溅射靶材的焊接方法有效
| 申请号： | 202010191572.8 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111195768B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;祝龙飞 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K20/10 | 分类号： | B23K20/10;B23K20/24 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C‑SiC溅射靶材的焊接方法，所述方法包括如下步骤：(1)对C‑SiC靶材和背板进行遮蔽处理，然后在遮蔽后C‑SiC靶材和背板的焊接表面放置焊料并升温，升温完成后对C‑SiC和背板的焊接面进行浸润处理，得到处理后C‑SiC靶材和背板；(2)在步骤(1)得到的处理后背板上设置熔池同时放置焊料并等间距设置铜丝，得到处理背板；(3)将步骤(1)得到的处理后C‑SiC靶材和步骤(2)得到的处理背板进行扣合组装并焊接。本发明中，消除焊接面上对焊接结果有极大影响的铟渣，保证靶材与背板之间的焊料纯正、无污染。通过以上方式处理，可保证C‑SiC靶材其C‑Scan超声波检测一次焊接结合率平均可达98％以上，并且极大节约产品加工工时，节约大量成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 溅射 焊接 方法 | ||
【主权项】：
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