[发明专利]R-T-B系永久磁铁在审

专利信息
申请号: 202010194793.0 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111724959A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 藤原真理子;岩崎信 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种维持剩余磁通密度Br并同时提高室温下的矫顽力HcJ的R‑T‑B系永久磁铁。本发明的R‑T‑B系永久磁铁含有Ga,其中,R为一种以上的稀土元素,T为Fe或Fe及Co,B为硼。本发明的R‑T‑B系永久磁铁含有由具有R2T14B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒和由相邻的两个以上的主相颗粒形成的晶界。将主相颗粒中的Ga的原子数浓度设为[Ga],将R的原子数浓度设为[R],满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。
搜索关键词: 永久磁铁
【主权项】:
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