[发明专利]籽晶托及降低碳化硅单晶中穿透型位错密度的方法在审
| 申请号： | 202010198749.7 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111334855A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杨祥龙;徐现刚;王垚浩;于国建;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511400 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种籽晶托及降低碳化硅单晶中穿透型位错密度的方法，通过在籽晶托上开设沟槽、并在沟槽中填充与石墨热导率不同的材料，或者，直接在籽晶托上镀与石墨热导率不同的薄膜，这样，在晶体生长时，籽晶托表面存在两种热导率不同的物质，使得散热不均匀，进而，会导致籽晶表面温度场分布不均匀。因此，可以利用籽晶托上两种不同热导率物质的周期性分布，调制物理气相传输生长SiC过程中籽晶表面温度场分布，强制在预定义图形对应温度较低区域优先成核，按照预定义图形进行选择优先生长，随后进行侧向生长，以达到降低穿透型位错密度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 降低 碳化硅 单晶中 穿透 型位错 密度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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