[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010200281.0 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111952371A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的有源图案，所述有源图案包括凹槽，所述凹槽具有“V”形；位于所述凹槽上的生长阻止图案；位于所述有源图案的在所述凹槽的相对侧的部分上的栅极结构；在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的沟道，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构之一；以及位于所述生长阻止图案上的源/漏层，所述源/漏层接触所述沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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