[发明专利]一种镭射后植球的封装工艺在审
| 申请号： | 202010206714.3 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111540686A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王杰;李全兵;张明俊;杨先方;王洪云;唐继稳;贲锋;王翔 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B23K26/362 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镭射后植球的封装工艺，所述工艺包括以下步骤：步骤一、在基板背面贴覆一层干膜；步骤二、对干膜进行曝光显影，将植球焊垫区域以外的干膜去除；步骤三、在基板正面贴装元件；步骤四、对基板正面进行包封；步骤五、在基板背面贴装元件；步骤六、对基板背面进行包封；步骤七、在基板背面进行镭射钻孔，将植球焊垫区域上方的包封料去除，露出干膜；步骤八、将露出的干膜去除；步骤九、在去除干膜的植球焊垫上植入锡球；步骤十、将整体封装结构切割成单颗产品。本发明一种镭射后植球的封装工艺，它能够解决现有工艺需要在基板植球焊垫上镀上一层金属从而导致制作成本上升的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镭射 后植球 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
