[发明专利]一种CNPTC高磁发热技术在审
| 申请号： | 202010207202.9 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111205086A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 姚树伟 | 申请（专利权）人： | 辽宁斯宝达节能科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/40;C04B35/622 |
| 代理公司： | 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 | 代理人： | 杨群;郭悦 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于电发热元件技术领域，具体涉及一种CNPTC高磁发热技术，包括铁氧体和正温度系数半导体化合物，铁氧体和正温度系数半导体化合物的结合体为CNPTC组合物，CNPTC组合物为钛酸钡系小型化的热敏电阻元件，CNPTC组合物主成分为BaTiO3。本发明CNPTC组合物采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料，CNPTC电阻率远大于一般半导体性材料，具有涡流损失小的优点，同时CNPTC组合物形成的磁性元器件热转化率高、热传递速度快、发热均匀性好，散热性好并且散热均匀，发热性能稳定性好，耗能小节约能源，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cnptc 发热 技术 | ||
【主权项】：
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