[发明专利]一种制备热电厚膜的方法在审
申请号: | 202010207506.5 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN113437208A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 史迅;仇鹏飞;高治强;陈立东;杨世琪;杨青雨 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L35/34 | 分类号: | H01L35/34;H01L35/16;H01L35/18 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种制备热电厚膜的方法,包括:确定热电材料的脆性‑塑性转变温度;将块状热电材料在其脆性‑塑性转变温度及其以上且熔点以下的温度区间内进行辊压处理;所述辊压处理的参数包括:辊筒的线速度为0.01~10 mm/s、优选0.1~5mm/s,控制每次下压辊筒的下压量为0.0005~0.1mm、优选0.001~0.05mm;重复辊压处理所述直至得到规定厚度的热电厚膜;以及将所得热电厚膜进行退火处理;所述退火处理的温度为100~800℃,优选300~500℃;所述退火处理的时间为10~500小时,优选为100~300小时。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 热电 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010207506.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。