[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010207587.9 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111383992B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨素慧;王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上暴露有第一导电层；在第一晶圆以及第一导电层上形成第一氧化层；在第一氧化层中形成一体成型的第一互联通道和第一虚拟通道，其中，第一互联通道沿垂直于所述第一导电层的方向上的宽度实质相同，第一互联通道与第一导电层接触，且第一虚拟通道的高度小于第一互联通道的高度，使得第一虚拟通道与第一导电层间隔；提供第二晶圆，第二晶圆的结构与第一晶圆相似，其中形成第二互联通道和第二虚拟通道；以及键合第一晶圆和第二晶圆，使第一互联通道和第二互联通道相互接触从而连通第一导电层和第二导电层。该制造方法减少了晶圆键合中的工艺步骤，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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