[发明专利]阵列数据位反转有效
申请号: | 202010208447.3 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN111383680B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | C·L·英戈尔斯;S·J·德尔纳 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22;G11C7/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及阵列数据位反转。描述用于存储器阵列位反转的方法、系统及设备。存储器单元(例如,铁电存储器单元)可经写入有与逻辑状态相关联的电荷,所述逻辑状态可为所述单元的预期逻辑状态的反转。即,一或多个存储器单元的实际逻辑状态可经反转,但所述存储器单元的所述预期逻辑状态可保持不变。不同组晶体管可经配置在单元的感测组件周围以能够从所述单元读取预期逻辑状态及反转逻辑状态或将所述预期逻辑状态及所述反转逻辑状态写入到所述单元。例如,第一组晶体管可用于读取当前存储于存储器单元处的逻辑状态,而第二组晶体管可用于读取从所述当前存储的逻辑状态反转的逻辑状态。 | ||
搜索关键词: | 阵列 数据 反转 | ||
【主权项】:
暂无信息
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