[发明专利]三维存储器及三维存储器制作方法

摘要

本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。本发明旨在解决相关技术中公共源极上的导电侧壁与导电层之间容易形成电容，该电容会影响三维存储的性能的问题。本发明的三维存储器，阵列器件设置在第一半导体基底和第二半导体基底之间，堆叠结构内设置有存储串和栅极缝，存储串上具有半导体接触块；在堆叠结构的外侧设置有的贯穿接触柱，第一半导体基底和阵列器件之间设置有第一互联层，贯穿接触柱与第一互联层内的触点连接；导电通道与掺杂区和贯穿接触柱连接；通过导电通道以及贯穿接触柱代替相关技术中的公共源极，并且导电通道和贯穿接触与堆叠结构的导电层距离较远，难以形成电容，提高了三维存储器的性能。