[发明专利]半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010211618.8 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403276A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 邵克坚;张大明;陈云;刘昭 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供待刻蚀材料层；于待刻蚀材料层的表面形成第一掩膜层；得到包括图形化区域的第一图形化掩膜层，图形化区域内包括若干个间隔排布的图形结构；于图形结构的表面、相邻图形结构的间隙底部及第一图形化掩膜层的表面形成侧墙材料层；于侧墙材料层表面形成第二掩膜层；得到第二图形化掩膜层，第二图形化掩膜层包括开口；开口位于图形化区域外侧；基于第二图形化掩膜层对侧墙材料层、第一图形化掩膜层及待刻蚀材料层进行刻蚀；去除第二图形化掩膜层；并继续刻蚀待刻蚀材料层以于待刻蚀材料层内形成第一沟槽及第二沟槽。本发明可以简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率；可以保证产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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