[发明专利]巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法有效
申请号: | 202010213105.0 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111240160B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 李葆轩;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,提供多个掩膜版选项进行二次曝光的模型设置,每个掩膜版选项包含两个掩膜版层及背景层选项,该两个掩膜版层分别定义为版图层和除该版图层以及背景层以外的区域;在OPC脚本中进行对应指定;将相邻两个掩膜版的交叠区域中的亚分辨辅助图形退回至非交叠状态;进行OPC预处理,设置相邻的两个掩膜版中版图层相互交叠区域的宽度;将导致不收敛的掩膜版分段进行冻结。采用本发明的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,经OPC修正过后模拟成像验证交叠区域掩膜板尺寸变小,修正方法可行。OPC修正后的掩膜板尺寸对模型友好且修正过后工艺窗口模拟无恶化。 | ||
搜索关键词: | 巨型 版图 拆分 边界 二次 曝光 模拟 光学 近邻 修正 方法 | ||
【主权项】:
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