[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010216360.0 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111916355A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 传田俊男;市村裕司 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/48
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;周春燕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供半导体装置的制造方法,能够将外部连接端子可靠地固定于端子壳体。将包含半固化状态的热固性树脂的平板状框体(40)成型,所述平板状框体(40)呈平板状且形成有贯穿正面和背面的开口部(41a)且在正面形成有凹陷的端子图案。之后,以覆盖平板状框体(40)的开口部(41a)的方式配置绝缘基板(24)于背面,配置外部连接端子(33~36)于端子图案并加热。结果,能够由平板状框体40制造固定有绝缘基板(24)和外部连接端子(33~36)的端子壳体。端子壳体(30)所含的外部连接端子(33~36)可靠地固定于端子壳体。因此,在对外部连接端子(33~36)连接导线时外部连接端子(33~36)不会错位。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
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