[发明专利]沟槽型IGBT器件结构有效
| 申请号： | 202010217515.2 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111261713B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 周晓阳;王亚哲;朱贤龙 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽栅型IGBT半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；沟槽发射极，位于所述第二导电类型的漂移区内，且位于所述沟槽栅极一侧，与所述沟槽栅极具有间隙；绝缘隔离结构，位于所述沟槽栅极与所述沟槽发射极之间。由于采用了沟槽栅极和沟槽发射极，将沟道从横向变为纵向，减小了沟槽型IGBT器件结构沟道电阻；采用沟槽栅结构，可以缩小元胞尺寸，大大提高元胞密度，每个芯片的沟道总宽度增加，减小了沟道电阻；绝缘隔离结构有效地减小了沟槽栅极与沟槽发射极之间的无效沟槽，可以提高响应速度，增大安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
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