[发明专利]具有键合和共享逻辑电路的存储器阵列在审
| 申请号： | 202010219899.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112071827A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | R·法斯托;K·哈斯纳特;P·马吉;O·W·容格罗特;K·帕拉特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;G11C5/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戴开良 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路存储器包括键合到存储器阵列的逻辑电路。例如，逻辑电路与存储器阵列分开地形成，且之后逻辑电路和存储器阵列被键合。逻辑电路便于存储器阵列的操作，并包括互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑部件，诸如字线驱动器、位线驱动器、存储器阵列的感测放大器。在示例中，代替键合到单个存储器阵列，逻辑电路键合到两个存储器阵列并由两个存储器阵列共享。例如，逻辑电路在两个存储器阵列之间。由于键合过程，形成键合界面层。因此，在这样的示例中，第一键合界面层在逻辑电路和第一存储器阵列之间，以及第二键合界面层在逻辑电路和第二存储器阵列之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 共享 逻辑电路 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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