[发明专利]具有嵌入式GeSnB源极或漏极结构的全环栅集成电路结构在审
| 申请号： | 202010219953.2 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111755517A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | C·邦伯格;A·默西;S·高斯;S·舒克赛 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/08;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了具有嵌入式GeSnB源极或漏极结构的全环栅集成电路结构及制造具有嵌入式GeSnB源极或漏极结构的全环栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括鳍状物上方的水平纳米线的垂直布置，所述鳍状物包括第一半导体层上的缺陷修改层和缺陷修改层上的第二半导体层。栅极堆叠体围绕水平纳米线的垂直布置。第一外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第一端部处，而第二外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第二端部处。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 gesnb 结构 全环栅 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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