[发明专利]一种硅铝硅键合片的台面二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010220318.6 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111261726A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨朔 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/18;H01L21/329 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 黄珍玲 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种多层结构基片的台面肖特基势垒二极管及其制备方法，此方法采用硅‑铝‑硅键合的单晶片替代成本高的外延片，降低成本。全制造过程采用低温工艺，采用台面终端保护，用聚酰亚胺来保护台面，即达到高压效果，又减少了材料成本。本发明可得到低成本的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管成本更低，应用范围更为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅铝硅键合片 台面 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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