[发明专利]一种高压PMOS驱动电路在审
| 申请号： | 202010221244.8 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111245428A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 唐盛斌 | 申请（专利权）人： | 苏州源特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/003;H03K19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高压PMOS驱动电路，包括双层式电位平移电路、钳位器和缓冲器，双层式电位平移电路接收低端逻辑信号和钳位器提供的偏置电压，输出高端逻辑电平给缓冲器，缓冲器产生高端驱动电压作为高压PMOS驱动电路的输出，控制高压PMOS管的开通和关断；钳位器的输出端为缓冲器提供负端电压，使缓冲器工作在安全区，并且钳位器为双层式电位平移电路提供偏置电压。在不需要外接电容的情况下，把负载元件、锁存器、缓冲器的电压都控制在安全工作范围，集成度高，成本低。在双层式电位平移电路中的负载元件上产生的电压差是稳定的、可靠的，不易被干扰，可以省去传统技术上所需的锁存器，从而节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 pmos 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州源特半导体科技有限公司，未经苏州源特半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010221244.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种滑油泵防火试验设备
- 下一篇：一种指压型可充放气膨胀堵
