[发明专利]沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法在审
申请号: | 202010221358.2 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN112779521A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 文成培;柳成龙;郑鸿基;崔相准;金永旼;李京美 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/34 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供可降低基板处理中的不良发生率的沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法,沉积装置具备:腔体;导电性的销,位于所述腔体内,且上下延伸;导电性的基座,位于所述腔体内,且具有所述销通过的贯通开口;以及导电性的套管,位于所述基座的所述贯通开口内且被固定成与所述基座电连接,并且具有所述销通过的贯通孔,且还具有与所述销接触的导电性的接触部。 | ||
搜索关键词: | 沉积 装置 以及 利用 处理 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的