[发明专利]用于非易失性存储器的编程验证技术在审
| 申请号： | 202010222731.6 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111863103A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵涵;R.法斯托夫;K.K.帕拉特;A.塔塔查里;N.拉曼南 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于非易失性存储器的编程验证技术。描述了一种用于针对非易失性存储器的读取或编程验证（PV）操作的技术。在一个示例中，在编程验证操作的结束时（例如在编程验证恢复阶段期间），所选字线近旁的多个字线一次一个地斜降。使所选字线近旁的字线一次一个地斜降可以显著减少沟道中的所捕获的电荷，从而使能实现较低的编程扰乱率以及经改进的阈值电压分布。在一个示例中，使所选字线近旁的字线斜降的相同技术可以被应用到读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 编程 验证 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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