[发明专利]静电放电保护电路有效
申请号: | 202010224088.0 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN113451293B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 许杞安 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种静电放电保护电路,包括:脉冲检测单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端输出脉冲检测信号;延迟单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端连接脉冲检测单元的第三端,第四端输出第一延迟信号,第五端输出第二延迟信号;控制单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端连接延迟单元的第五端,第四端连接延迟单元的第四端,第五端输出控制信号;泄放单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端连接控制单元的第五端。本申请在达到所需的静电保护效果的前提下具有较小的RC时间常数,静电放电保护电路的面积较小,不会占用较多的设计空间。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的