[发明专利]一种堆叠电容、闪存器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010224926.4 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111403392B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种堆叠电容、闪存器件及其制造方法。本发明所提供的闪存器件中的堆叠电容具有存储晶体管的结构，至少包括衬底以及沿衬底高度方向由低到高依次堆叠在衬底上的隧穿氧化层、浮栅极层、层间介质层和控制栅极层，其中，形成堆叠电容的层间介质层包括沿衬底高度方向由低到高依次堆叠的第一氧化层和氮化物层；堆叠电容还包括引出控制栅极层的第一接触和引出浮栅极层的第二接触，以使浮栅极层和控制栅极层在外加电压下构成堆叠电容的一对极板。本发明还提供了上述结构的制造方法。本发明所提供的堆叠电容的单元面积电容值被有效提高，在保证性能稳定性的情况下缩减了器件尺寸。本发明所提供的制造方法与现有工艺兼容，不增加制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 电容 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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