[发明专利]RI制造装置用自屏蔽体在审
| 申请号： | 202010226331.2 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111757585A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 鹈野浩行 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H05H6/00 | 分类号： | H05H6/00;A61B6/03;A61B6/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够减轻重量的RI制造装置用自屏蔽体。自屏蔽体(6)中，第1层(21)屏蔽一次γ射线(L1)，第2层(22)屏蔽中子(L2)，且比第2层(22)更靠外周侧的第3层(23)屏蔽捕获γ射线(L3)。在此，第2层(22)配置于第1层(21)的外周侧，因此第1层(21)配置于比第2层(22)更靠近靶(T)的位置。通过这种配置能够减小γ射线屏蔽材料的体积。因此，能够减轻第1层(21)的重量。并且，中子(L2)穿过第1层(21)，因此可获得中子(L2)的减速效果，从而第2层(22)能够更有效地屏蔽中子(L2)。因此，能够将第2层(22)设为比比较例更薄，从而能够减轻重量。 | ||
| 搜索关键词： | ri 制造 装置 屏蔽 | ||
【主权项】：
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