[发明专利]带有具有曲率半径的存储节点的非易失性存储器在审
| 申请号： | 202010230752.2 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN112151550A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | R·J·科瓦尔;H·T·梅布拉图;K·K·帕拉特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘文灿 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了存储节点配置。存储节点(例如，三维(3D)NAND闪存设备的浮栅或电荷捕获层)包括具有曲率半径的面向沟道的表面。例如，存储节点的面向沟道的表面可以是凹形的。存储节点的面向控制栅的表面可以替代地或附加地还包括曲率半径。存储节点的面向沟道的表面和/或面向控制栅的表面的曲率半径小于或等于沟道层的半径。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 具有 曲率 半径 存储 节点 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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