[发明专利]具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构在审
| 申请号： | 202010231923.3 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN112117270A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | N·汤姆森;A·卡尔;K·科柳鲁;N·杰克;R·马;M·博尔;R·米恩德鲁;H·A·拉奥 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06;H01L29/735;H01L29/861;H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括二极管器件和晶体管器件。二极管器件包括第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域以及在第二导电区域和绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中第二鳍状物区域与第一鳍状物区域横向相邻，并且绝缘体区域在第一和第二导电区域之间。二极管器件包括：第一导电区域上的第一导电过孔，其中第一导电过孔与第一鳍状物区域垂直相邻；以及第二导电区域上的第二导电过孔，其中第二导电过孔与第二鳍状物区域垂直相邻。二极管器件可以包括导电接触部、第一鳍状物区域上的第一部分、第二鳍状物区域上的第二部分、以及第一部分和第二部分与导电接触部之间的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 背面 金属 接触 子鳍状物 区域 衬底 finfet 二极管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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