[发明专利]半导体器件的制作方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010232317.3 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111244032A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 左明光;朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件的制作方法和半导体器件。该方法包括：提供具有绝缘介质层的基底；在绝缘介质层的表面上形成金属连线层；至少刻蚀去除部分金属连线层，至少在金属连线层中形成多个填充槽，填充槽的两侧具有金属连线部；在填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部。该方法通过先沉积后刻蚀形成金属连线部，由于沉积的宽度尺寸相对较大，所以该沉积的过程中不容易产生孔洞且形成的结构层较为致密。因此，相比于现有技术在凹槽中填充金属形成金属连线部，该方式减少了金属连线部产生孔洞的概率，进而提高电迁移率，从而提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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