[发明专利]红外探测器芯片的接触电极制备方法

摘要

本发明公开了一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，所述方法，包括：在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；腐蚀钝化层；对钝化层远离碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；去除光刻胶以及附着于光刻胶上的金属层。采用本发明，结合了钝化层腐蚀工艺和电极剥离工艺，避免了工艺过程中对碲镉汞和钝化层的损伤，并减少了光刻次数，减少了工艺步骤，而且巧妙利用了钝化层腐蚀的侧向腐蚀、大大降低了剥离的工艺难度，提升了成品率。