[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010235266.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471244B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴家荣;张翊凡;黄瑞民;蔡雅卉;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底包含一逻辑区以及一磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)区域，然后形成一磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于MRAM区域上，形成一金属内连线于MTJ上，形成一介电层于金属内连线上，图案化介电层以形成多个开口，最后再形成阻挡层于被图案化的介电层以及金属内连线上并填满该等开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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