[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010237970.9 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111799325A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 长濑仙一郎;可知刚;星野义典 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;郭星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在从半导体衬底SUB的第一主表面到达预定深度的深沟槽DTC中，形成包括插塞PUG和场板FP的多个柱状导体CCB。沿着深沟槽DTC的侧壁表面形成p型杂质层PIL。在插塞PUG的底部与p型杂质层PIL的底部之间，场板FP和p型杂质层PIL被定位为经由插入其间的绝缘膜FIF彼此面对。在p型杂质层PIL的底部与场板FP的底部之间，场板FP和半导体衬底SUB的n型漂移层NDL被定位为经由插入其间的绝缘膜FIF彼此面对。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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