[发明专利]一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010238063.6 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111290059B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 赵芬霞;刘宏明 | 申请（专利权）人： | 湖州中芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 深圳国联专利代理事务所(特殊普通合伙) 44465 | 代理人： | 王天兴 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，包括以下装置：CVD钻石、透射电子显微镜、计算机、单色激光器、液氦制冷装置和透镜组，所述CVD钻石的表面经过光刻的处理，所述CVD钻石的表面经过特殊加工处理，且所述CVD钻石的表面分布有间距10微米，直径100纳米的半球结构，所述单色激光器的型号为400‑532纳米型单色激光器，所述透射电子显微镜的型号为TEM型透射电子显微镜；包括以下步骤：步骤一：使用所述TEM型号的透射电子显微镜在所述CVD钻石表面的半球内注入浓度1ppb的氮原子；步骤二：对所述CVD钻石进行一千摄氏度的退火。该基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，便于675纳米相干光源的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cvd 钻石 相干 光源 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖州中芯半导体科技有限公司，未经湖州中芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010238063.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
