[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010241338.1 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113471272A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴宛叡 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括具有第一导电型的衬底、形成于衬底中并具有第二导电型的高压阱、形成于高压阱一侧的衬底中的源极阱、形成于高压阱中的漏极阱、形成于源极阱与漏极阱之间的高压阱上方的隔离层、形成于衬底上方并自源极阱的边缘部分上方连续延伸至隔离层的边缘部分上方的栅极层、形成于栅极层旁的源极阱中的源极区、形成于漏极阱中的漏极区与形成于隔离层上方的至少一浮置导体层。所述浮置导体层与漏极区之间的距离小于浮置导体层与源极区之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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