[发明专利]非晶硅结构的制造方法有效
| 申请号： | 202010242670.X | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111415907B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 龚昌鸿;胡宗福;胡秀梅;陈建勋;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶硅结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在表面具有图形结构的半导体衬底表面上形成非晶硅层；步骤二、在非晶硅层的表面形成第一氧化硅层，第一氧化硅层中至少包括一层采用FCVD工艺生长的FCVD氧化硅子层；利用FCVD工艺使第一氧化硅层表面平坦化；步骤三、进行退火使FCVD氧化硅子层致密化；步骤四、采用等向性刻蚀工艺对第一氧化硅层和非晶硅层进行刻蚀并停止在非晶硅层的目标厚度上。本发明能简化非晶硅层的平坦化和厚度控制工艺并降低工艺难度，能提高器件电学性能和电性匹配度以及提高产品良率，适用于技术节点不断缩小的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
