[发明专利]碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置在审
| 申请号： | 202010242854.6 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111799321A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 酒井雅;三谷阳一郎;中村卓誉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于针对碳化硅外延晶片，降低从器件工作层的中途产生的胡萝卜缺陷和三角缺陷。碳化硅外延晶片(20)具有碳化硅基板(1)、在碳化硅基板(1)之上形成的碳化硅外延层(12、13)。碳化硅外延层(12、13)具有三角缺陷(30)。碳化硅外延层(12、13)在三角缺陷(30)的表面形态上的三角缺陷(30)的内侧具有台阶(31)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 制造 方法 电力 变换 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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