[发明专利]耗尽型晶体管驱动电路及芯片有效
| 申请号： | 202010244348.0 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111478689B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种耗尽型晶体管驱动电路及芯片。该电路中，低压MOS管的漏极与主耗尽型晶体管的源极相连，低压MOS管的源极接地；间接锁定电路与供电端和低压MOS管的栅极相连，用于驱动低压MOS管开启，在主耗尽型晶体管初次开启后锁定低压MOS管处于常开状态；直接驱动电路与供电端、主耗尽型晶体管的栅极和低压MOS管的源极相连，用于直接驱动主耗尽型晶体管的开启或关闭；辅助驱动电路与供电端、直接驱动电路、间接锁定电路以及低压MOS管的源极相连，用于驱动间接锁定电路锁定低压MOS管处于常开状态；在供电端下电后，驱动低压MOS管关闭，控制直接驱动电路对主耗尽型晶体管进行关闭。该电路可以提高低压MOS管的开关速度并保障主耗尽型晶体管的高速开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 晶体管 驱动 电路 芯片 | ||
【主权项】：
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