[发明专利]喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 202010248840.5 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111816584A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朴柄善;金益秀;任智芸;罗相虎;吴民在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 包括 半导体 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
