[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具在审
| 申请号： | 202010249079.7 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111952200A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 大西一永;增泽贵志;乡原広道 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/67;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供使用简易结构的段差治具的半导体模块的制造方法。提供一种半导体模块的制造方法，其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法，包括：通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。提供一种半导体模块，其具备鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体，散热基座的翘曲幅度为200μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 制造 方法 以及 段差治具 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
