[发明专利]用于半导体装置中的电容减小的方法和设备在审

专利信息
申请号: 202010250079.9 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN111916454A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: S·索尔斯;杨立涛;G·S·桑胡;R·J·希尔 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L27/11;H01L27/112;H01L27/115;H01L27/22;H01L27/24
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明描述与半导体装置中的电容减小有关的系统、设备和方法。一种实例方法可包含在形成于半导体衬底上的感测线的一部分之上形成仅氧化物间隔物,以使所述感测线与半导体装置的存储节点触点区分开,且减小所述感测线与所述存储节点触点区之间的电容。所述方法可进一步包含:在所述半导体装置的与所述感测线相邻的有源区域中形成所述存储节点触点区,且将所述感测线导电连接到所述存储节点触点区,以使存储节点能够被所述感测线感测。
搜索关键词: 用于 半导体 装置 中的 电容 减小 方法 设备
【主权项】:
暂无信息
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