[发明专利]晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 202010253671.4 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111524789A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴远华;刘跃;王莹莹;封贻杰;刘宁 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆清洗方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将待清洗的晶圆固定于承载台；将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，运行参数包括清洗液喷射区域、氮气流量、晶圆转速；预定值用于令清洗晶圆时清洗液远离晶圆底部；通过背面管路向晶圆底部喷氮气；通过旋转底座带动晶圆旋转；通过承载台上方的喷射管路向待晶圆表面喷射清洗液；解决了利用单片清洗机台清洗晶圆时，清洗液容易进入晶圆不需要清洗的一面造成特殊图形缺陷的问题；达到了避免晶圆不需要清洗的一面出现特殊图形缺陷，提高晶圆的良率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
