[发明专利]一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法在审
| 申请号： | 202010256294.X | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111268674A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 赵芬霞;刘宏明 | 申请（专利权）人： | 湖州中芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/28 | 分类号： | C01B32/28;C30B29/04;C30B31/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 邓凌云 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料科学技术领域，且公开了一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法，包括以下步骤：步骤一：准备工作：预备透射电子显微镜，以及用于对CVD钻石进行固定的装置，将需要用于注入的氮原子材料放置在透射电子显微镜内，用于预备使用，并启动透射电子显微镜氮原子进行预加工，检验设备是否出现问题，透射电子显微镜对需要注入的氮原子材料进行预加热；步骤二：固定材料的准备工作：对CVD钻石晶片进行加热，并采用氮原子测定专用的高精度机器，对CVD钻石晶片内的氮原子浓度进行测定，单位需要精确到个位。该提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法，解决了氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 cvd 钻石 特定 区域 原子 浓度 方法 | ||
【主权项】：
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