[发明专利]一种双功能钼掺杂硫化钴/氮碳阵列电极的制备方法有效
| 申请号： | 202010259647.1 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111490256B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;骆禅;闫术芳;杨柳 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/90;H01M12/06 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双功能钼掺杂硫化钴/氮碳阵列电极的制备方法。利用化学浴沉积辅助干燥或预氧化或预硫化获得钴基前驱物阵列结构，随后在钴基前驱物表面生长一层聚多巴胺再吸附钼离子，最后于硫气氛下退火反应。在退火过程中聚多巴胺逐步转变为氮掺杂的碳材料，钴基前驱物与硫蒸气反应成为硫化钴。同时，钼离子由于被聚多巴胺中的氮配位吸附而分散，且位于聚多巴胺表面而与钴元素隔离，硫化过程形成晶态程度高的二硫化钼和硫化钴/二硫化钼接触型结构，进而形成钼掺杂硫化钴/氮碳结构。本发明的技术方案硫化钴/氮碳界面形成的Co‑N‑C键型结构具有良好的ORR及OER性能；此外，钼掺杂硫化钴形成的Co‑O‑Mo和钼掺杂氮碳形成的Mo‑N也分别为OER和ORR高活性中心。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功能 掺杂 硫化 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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