[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010260440.6 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113497001A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，包括：绝缘区域，位于衬底中；第一导体，位于绝缘区域上方，用于收集电荷；第二导体，至少部分位于绝缘区域上方，用于感应第一导体的电荷；电介质层，位于第一导体与第二导体之间，使得第一导体与第二导体电绝缘。本申请的半导体结构在进行天线效应测量时，第一导体先将电荷收集起来，并通过第二导体与第一导电体之间形成电容的方式将电荷感应到第二导体上，这样就不会出现当第一导体中某一层金属层面积较大，该层金属层测量时测试结构被击穿导致后面金属层上的电荷测量不到的情况，提高了测量的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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