[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法在审
申请号: | 202010263663.8 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN112186038A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 金圭镇;金熙中;金俊秀;李相昊;赵在奂;黄有商 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L23/528;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括:有源图案,在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开;器件隔离层,限定有源图案;绝缘结构,提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间;以及栅极结构,设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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