[发明专利]对PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法在审
| 申请号： | 202010268133.2 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111833942A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | A.伯曼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，该方法包括：由PRAM存储器阵列接收输入读取地址；以及从距感测放大器的字线距离相对于这些字线距离的估计最佳电流的表中选择最接近所接收的输入读取地址的距离的估计最佳参考电流。该最佳参考电流确定读取电流是“0”还是“1”，并最小化由于潜行路径和寄生元件使读取电流失真的效应而导致的误码率。 | ||
| 搜索关键词： | pram 存储器 阵列 中的 固有 潜行 电流 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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