[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010268467.X | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112117254A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 施江林;吴珮甄 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有多个第一半导体晶粒、一第一粘着层、多个第二半导体晶粒、一第二粘着层以及多个第一金属凸块。所述第一半导体晶粒内嵌在一第一晶圆群的一第一感光层中。该第一粘着层配置在该第一晶圆群的其中至少两个之间，以形成一第一结构。所述第二半导体晶粒内嵌在一第二晶圆群的一第二感光层中。该第二粘着层配置在该第二晶圆群的至少两个之间，以形成一第二结构。所述第一金属凸块配置在该第一结构与该第二结构之间，其中该第一结构以该第一金属凸块连接该第二结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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